도시바메모리와 웨스턴디지털이 19일 일본 미에현 욧카이치시에서 최신 반도체 제조라인 ‘팹(Fab)6’와 ‘메모리 R&D 센터(Memory R&D Center)’의 건립을 완료하고, 준공식을 개최했다.
도시바메모리는 지난 2017년 2월 3D 플래시 메모리 전용 제조시설인 팹6의 착공에 돌입했으며, 도시바메모리와 웨스턴디지털은 함께 해당 라인에 증착(deposision), 식각(etching) 등 주요 생산 공정을 위한 최첨단 제조 설비를 구축했다. 양사는 이달 초부터 신규 제조라인에서 96단 3D 플래시 메모리 양산을 본격적으로 시작했다.
오늘날 엔터프라이즈 서버, 데이터센터, 스마트폰 등에서 3D 플래시 메모리의 수요가 급증하고 있다. 이러한 시장 성장세는 향후 수년 간 지속될 것으로 기대되고 있어 앞으로의 시장 상황에 따라 추가적인 투자도 지속적으로 이뤄질 예정이다.
팹6와 인접한 곳에 위치한 메모리 R&D 센터는 지난 3월부터 운영을 시작해 앞으로 3D 플래시 메모리 개발과 관련된 연구를 수행하고 발전을 촉진해 나갈 예정이다.
도시바메모리와 웨스턴디지털은 경쟁력 강화를 위한 적극적인 원천 기술 개발, 3D 플래시 메모리 기술 발전을 위한 양사의 협력관계 확대 및 시장 트렌드에 따른 지속적인 투자를 통해 메모리 업계 리더십을 지속적으로 구축 및 확대해 나갈 예정이다.
도시바메모리 사장 겸 CEO인 나루케 야스오(Yasuo Naruke) 박사는 “이번에 준공된 팹6와 메모리 R&D 센터를 통해 도시바메모리는 최신 3D 플래시 메모리 시장을 확대해 메모리 시장의 선도 기업으로서 지위를 공고히 할 수 있게 됐다”며 “웨스턴디지털과의 합작 투자를 통해 욧카이치에서의 지속적인 최신 메모리 제품 개발 및 생산이 가능해졌다”고 말했다.
스티브 밀리건(Steve Milligan) 웨스턴디지털 CEO는 “웨스턴디지털의 중요 파트너사인 도시바메모리와 함께 팹6 및 메모리 R&D 센터를 준공하게 돼 기쁘다. 지난 20년 간 도시바메모리와 웨스턴디지털의 성공적인 협력은 낸드(NAND) 플래시 기술의 성장과 혁신을 만들어 냈다”며 “웨스턴디지털은 소비자용 제품부터 모바일 애플리케이션, 클라우드 데이터센터에 이르는 폭넓은 시장 기회에 부응하기 위해 96단 3D 낸드의 생산을 늘리고 있으며, 최첨단 제조 시설인 팹6를 통해 앞으로도 기술력과 가격경쟁력을 확보하고 업계 리더로서의 입지를 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다.
